به گزارش خبرگزاری مهر به نقل از زد دی نت، از این روش می‌توان برای تولید انواع مواد سیلیکونی استفاده کرده که تولید تراشه‌های پیشرفته مورد استفاده در رایانه‌های پرسرعت کوانتومی را تسهیل می‌کند. کاهش هزینه تولید و افزایش دوام و ماندگاری رایانه‌های کوانتومی مزیت استفاده از این روش است.
در قالب این روش اتم‌های مورد نیاز برای تولید تراشه‌های کوانتومی یک به یک در کنار هم بر روی ویفرهای سیلیکونی قرار می‌گیرند. دقت این روش تا بدان حد است که بر مبنای موقعیت‌یابی نیم نانومتری صورت می‌گیرد که تقریباً معادل همان فضای بین اتم‌ها در کریستال‌های سیلیکونی است.
در جریان استفاده آزمایشی از این روش، اتم‌های فسفر به طور مرتب بر روی لایه‌ای از سیلیکون چیده شدند و برای تعیین شکل آرایه های اتمی به طور دقیق برنامه‌ریزی شد.
تا به حال، کاشت اتم‌ها بر روی سیلیکون یک فرآیند تصادفی بوده، اما دقت این روش با بررسی صدای ناشی از سقوط هر اتم بر روی کریستال‌های سیلیکونی افزایش یافته است. پژوهشگران صدای این برخورد را تقویت کرده‌اند تا در مورد نحوه چینش اتم‌ها با دقت بیشتری تصمیم بگیرند.
