سامسونگ اولین رم DDR5 دنیا که با لیتوگرافی 12 نانومتری تولید شده است را معرفی کرد. کرهایها در کنار معرفی این رم 16 گیگابیتی DDR5، از سازگاری آن با پردازندههای خانواده Zen شرکت AMD خبر دادهاند.
رم جدید سامسونگ نسبت به نسل قبلی تا 23 درصد بهرهوری انرژی بالاتری دارد. سامسونگ اعلام کرده که با استفاده از مواد با کاپا بالا توانسته است چنین محصولی را تولید کند و ظرفیت سلول را افزایش دهد. همچنین این کمپانی برای بهبود مدارهای حیاتی و مهم، از یک فناوری انحصاری بهره برده است.
سامسونگ برای تولید این رم DDR5 از لیتوگرافی پیشرفته و چندلایه با بالاترین چگالی دای (Die) در صنعت استفاده کرده است و 20 درصد بهرهوری ویفر بالاتری را ارائه میکند. این رم میتواند اطلاعات را با سرعت 7.2 گیگابیت بر ثانیه منتقل کنند که معادل پردازش دو فیلم 4K با حجم 30 گیگابایت در تنها یک ثانیه است.
سامسونگ تولید انبوه رم جدید خود را از اوایل سال آینده میلادی آغاز میکند، بنابراین احتمالاً در فصل چهارم 2023 باید منتظر استفاده از این تراشههای DRAM در محصولات مختلف باشیم.
به باور سامسونگ، این DRAM جدید میتواند منجر به افزایش پذیرش و استفاده از رم DDR5 در محصولات مختلف شود. علاوهبر این، رم جدید با بهرهوری انرژی بالاتر و سرعت بیشتر، ظاهراً میتواند تغییرات چشمگیری در برخی حوزه ازجمله نسل بعدی محاسبات، دیتاسنترها و سیستمهای مبتنی بر هوش مصنوعی ایجاد کند.