سامسونگ آزمایشهای اولیه خود روی نسل بعدی تراشه اگزینوس مبتنیبر فرایند ۱.۴ نانومتری را آغاز کرده است. براساس اطلاعات منتشر شده، این تراشه جدید قرار است از فرکانس بالاتری بهره ببرد و به ۹۶ مگابایت کش در سطح سیستم (System Level Cache / SLC) مجهز شود. در این گزارش همچنین به چند ارتقای مهم دیگر نیز اشاره شده است.
طبق این اطلاعات، تراشه جدید به پردازنده مرکزی ۱۰ هستهای مجهز خواهد بود. دو هسته اصلی آن میتوانند به حداکثر فرکانس ۴.۵۰ گیگاهرتز برسند؛ درحالیکه اگزینوس 2600 حداکثر فرکانس ۳.۸ گیگاهرتز دارد. این یعنی حداکثر فرکانس در تراشه جدید حدود ۱۹ درصد افزایش مییابد. همچنین چهار هسته پردازشی دیگر با فرکانس ۳.۸۰ گیگاهرتز کار میکنند و چهار هسته کممصرف نیز فرکانس ۲.۰۰ گیگاهرتزی خواهند داشت.
شاید مهمترین بخش این تراشه، استفاده از ۹۶ مگابایت کش SLC باشد. منبع خبر همچنین گفته است این تراشه از پهنای باس بسیار عریض استفاده میکند تا تأخیر میان هستههای پردازنده مرکزی و پردازنده گرافیکی کاهش پیدا کند. وجود کش SLC بزرگتر هم باعث میشود دادههای پراستفاده بیشتری در حافظهای سریع نگهداری شوند و در نتیجه، هم تأخیر حافظه کاهش پیدا کند و هم پهنای باند افزایش پیدا کند. این موضوع در عمل میتواند نیاز به فعالبودن مداوم اجزایی مانند CPU ،GPU ،NPU و ISP را کاهش دهد.
البته تولید تراشههایی با کش SLC بسیار بزرگ، هزینه بیشتری دارد؛ زیرا این بخش، مساحت قابلتوجهی از سطح قالب سیلیکونی یا دای (Die) را اشغال میکند. هرچه ابعاد دای بزرگتر باشد، هزینه ساخت نیز بالاتر میرود.
در این گزارش تأکید شده است که بالاترین میزان کش SLC در تراشههای گوشیهای هوشمند درحالحاضر ۱۰ مگابایت است که در دایمنسیتی 9500 دیده میشود. البته در گزارش ذکر شده که افزایش این رقم به ۹۶ مگابایت، ابعاد دای را به سطحی میرساند که با فرم گوشیهای هوشمند سازگار نخواهد بود. بااینحال، چنین تراشهای میتواند در دستههای دیگری از دستگاهها مورد استفاده قرار گیرد.
از آنجا که سامسونگ تولید انبوه فرایند ۱.۴ نانومتری خود را برای سال ۲۰۲۹ هدفگذاری کرده، هنوز زمان زیادی برای توسعه و بهینهسازی در اختیار دارد. درنتیجه، هرچند این جزئیات اولیه هیجانانگیز به نظر میرسند، فعلاً باید با دیده تردید به آنها نگاه کرد.
